表面光電壓譜主要應(yīng)用于半導體材料或者器件的TPV測試和機理分析，光催化材料TiO2、C3N4、CdS、磷化物等、催化材料、分子篩、太陽能電池（單晶、多晶、染料敏化、鈣鈦礦）、光電化學的TPV、電化學材料的TPV等。

　　光電壓譜采用白光偏置光路激發(fā)材料；大功率*脈沖激光器；采用專有技術(shù)的電磁屏蔽，無任何外界干擾；測試光路，水平與垂直可任意在線切換，實現(xiàn)固體樣品和液體樣品均可測試分析。光生載流子動力學主要測試技術(shù)，載流子動力學測試技術(shù)主要有電學和譜學兩類.電學方法主要是光電化學，測量方式又分時間域和頻率域，時間域方法主要有瞬態(tài)光電壓（TPV）和瞬態(tài)光電流（TPC），頻率域方法主要有電化學阻抗譜（EIS）和光強度調(diào)制光電壓譜（IPVS）和光強度調(diào)制光電流譜（IMPS）等。

　　光譜是研究半導體光生載流子動力學過程和反應(yīng)歷程的強有力手段之一，它可以獲得半導體體內(nèi)光生載流子產(chǎn)生、俘獲、復合、分離過程的重要微觀信息。光電壓譜從某一穩(wěn)定工作狀態(tài)過渡到另一穩(wěn)定工作狀態(tài)的過程中所出現(xiàn)的瞬態(tài)現(xiàn)象，或?qū)﹄A躍電流的響應(yīng)。主要有激射延遲、張弛振蕩和自脈動，這些現(xiàn)象限制著半導體激光器振幅調(diào)制或頻率調(diào)制的性能，特別是高調(diào)制速率。

　　光電壓譜給出了不同樣品光生電荷分離的動力學信息，正向光伏信號代表光生電子由表面向內(nèi)部轉(zhuǎn)移，通常半導體材料的瞬態(tài)光伏分為漂移和擴散過程，分別對應(yīng)短時間范圍和長時間范圍的光伏信號。表面光電壓譜經(jīng)棱鏡分光后被分別射入光電倍增管和樣品池中，激光強度通過漸變圓形中性濾光片進行調(diào)節(jié). 光電倍增管記錄參比信號，樣品信號經(jīng)放大器的數(shù)字示波器進行記錄，樣品池由具有良好屏蔽電磁噪音的材料制成。

　　瞬態(tài)光電壓研究光生電子的傳輸行為，其光電壓響應(yīng)包括上升和衰退兩部分，光電壓上升部分在物理上對應(yīng)于電極導電基底電子濃度增加（類似于電容充電過程），此過程由光生電子擴散到達基底引起，光電壓下降部分主要對應(yīng)于電子離開導電基底的復合過程（類似于電容放電過程）光生載流子動力學。