深能級瞬態譜儀是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要儀器。根據半導體P-N結、金－半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C～t）技術和深能級瞬態譜（DLTS）的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有高檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。

　　通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量）分布的DLTS譜，集成多種全自動的測量模式及全面的數據分析，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布。深能級瞬態譜儀集成多種自動的測量模式及全面的數據分析，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領域中。

　　該儀器測量界面態速度快，精度高，是生產和科研中可廣泛應用的測試技術，自動連線檢測，自動電容補償功能，探測靈敏度高，瞬態電流測量，深能級瞬態譜分析，可調的混合比例，1：1到1：100。

　　隨著電腦技術的發展，使得在短時間內進行復雜計算成為可能，在純指數發射過程模型的基礎上，用各種數學模型分析測量到的瞬態過程，如傅里葉轉換、拉普拉斯轉換、多指數瞬態擬合、ITS（等溫瞬態光譜）信號重疊法、溫度掃描信號重疊法（重折疊）。

　　深能級瞬態譜儀可更換SFM附件，應用于：化學淬滅，光學淬滅以及光學延時，冷凍淬滅，X-射線散射停流，中子色散停流，EPR停流，低溫停流，自動滴定，停流電導，快速混合溫度突變系統，微重力實驗研究等。