超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)（UHV SPUTTER）
儀器介紹:
美國(guó)專(zhuān)業(yè)的制造商PVD公司是一家在磁控濺射沉積，電子束蒸發(fā)沉積，脈沖激光沉積等領(lǐng)域有著20年制造經(jīng)驗(yàn)。
我司代理的PVD公司生產(chǎn)的磁控濺射系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)在最大300mm襯底上沉積金屬和電介質(zhì)薄膜。使用RF、DC或脈沖DC電源的磁控濺射源可以單個(gè)模式或者聯(lián)合-沉積模式工作，以便生產(chǎn)可以對(duì)滿(mǎn)足廣泛的薄膜要求。我司生產(chǎn)的鈦磁控濺射源的尺寸可從1 inch（25mmm)到8inch（200mm)任選 ,并搭配內(nèi)置傾斜裝置以滿(mǎn)足按照沉積工藝進(jìn)行的微調(diào)。襯底支架符合最大300mm直徑的晶片需求，并可對(duì)晶片加熱至850°C及加載RF偏壓。磁控濺射系統(tǒng)可按客戶(hù)需求增減其他窗口用于諸如殘余氣體分析（RGA）、反射高能電子衍射（RHEED)或橢偏儀（ellipsometry）。


技術(shù)參數(shù)：
Vacuum Chamber: 304不銹鋼圓柱形腔體，滿(mǎn)足不同客戶(hù)的定制需求。
Pumping: 分子泵或冷凝泵，機(jī)械泵真空系統(tǒng)
Load Lock: 手動(dòng)傳片或自動(dòng)傳片,適合各種形狀尺寸的小片到300mm大的圓片，高真空背景傳遞
Process Control: PC / PLC自動(dòng)控制界面，菜單控制，數(shù)據(jù)獲取和遠(yuǎn)程控制
In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚監(jiān)控，光學(xué)膜厚監(jiān)控，RGA殘余氣體分析
Substrate Fixture: 單片，多片，星狀襯底夾具
Substrate Holders: 可加熱，冷卻，偏壓，旋轉(zhuǎn)
Ion Source: 襯底預(yù)清洗，納米表面改性
Deposition Techniques
Magnetron Sputtering  RF, DC, or Pulsed-DC;具有射頻濺射，直流濺射，脈沖直流濺射。
Glancing Angle Depostion (GLAD)Cathodic Arc Plasma Deposition   傾斜角度濺射。