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E-Beam電子束蒸發鍍膜系統304不銹鋼圓柱形腔體，標準直徑有18英寸和24英寸，分子泵或冷凝泵；手動傳片或自動傳片,適合各種形狀尺寸的小片到200mm大的圓片，高真空背景傳遞；PLC自動控制界面，菜單控制，數據獲取和遠程控制，QCM膜厚監控，光學膜厚監控。

金屬有機化合物化學氣相沉積鍍膜設備 反應器的設計可以根據工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產的需要。我們也能為客戶設計以滿足客戶特殊工藝和應用的需要。系統部件包括：反應器、氣體傳輸系統、電氣控制系統和尾氣處理系統.

超高真空多腔室物理氣相沉積鍍膜系統 該系統由專業的沉積設備商制造,配置多種沉積方式（預留各種功能接口）,高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.

等離子體增強化學氣相沉積鍍膜系統 通常選用射頻淋浴源（RF）或帶有不規則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應源產生等粒子體。 部分PECVD可以升級到PECVD & 反應離子蝕刻雙功能系統（帶ICP源）

等離子體增強原子層沉積鍍膜系統 一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件的工具。

脈沖激光分子束外延鍍膜系統 憑借著優異的性能, PVD公司生產的脈沖激光沉積分子束外延系統在國內外擁有較多用戶，為眾多老師開啟薄膜外延制備的新篇章。

脈沖激光沉積鍍膜系統 真空腔內照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態，然后被堆積到設在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學理論上準穩定狀態的組成和構造的人工合成新材料。

反應離子刻蝕設備 為達到此目的，必須對真空度，氣體流量，離子加速電壓等進行佳調整，同時，為得到高密度的等離子體，需用磁控管施加磁場，以提高加工能力。 我司提供多型號的RIE刻蝕系統，滿足國內客戶研究和生產的需要。