深能級瞬態譜是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段。
深能級瞬態譜儀可以給出與陷阱有關的密度，熱交叉選擇，能級,空間分布等。通過監測半導體結在不同溫度下的脈沖產生的電容、電流或電荷瞬變，可產生每個深度級別的光譜，每個深能級都有一個峰值。
根據半導體P-N結、金－半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C～t）技術和深能級瞬態譜（DLTS）的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種檢測靈敏度的實驗方法。能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。
通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量）分布的DLTS譜。同時DLTS測試軟件集成多種全自動的測量模式及全面的數據分析，可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布。
深能級瞬態譜儀測試須知：
1、樣品大小：<20mm*20mm；電極直徑：>600微米；電極距離：>1mm或者在兩面。
2、樣品結構
（1）肖特基結構；
（2）P/N結結構（p/n+或者n/p+）；
（3）MIS（MOS）結構。
測試溫度78K~700K，一定要提供樣品結構示意圖。
3、測試需要提供參數
（1）樣品標注正負極；
（2）電流，電壓值；
（3）結的面積。對于肖特基，即肖特基金屬的面積；對于PN結，即PN結的面積，對于MIS（MOS），即柵介質上金屬的面積；由于測試探針針尖面積約500平方微米，故要求結的面積要大于針尖面積。
掃一掃，關注微信
當前位置：