磁控濺射鍍膜機在磁控濺射中，由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力，運動軌跡會發生彎曲甚至產生螺旋運動，其運動路徑變長，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向。

　　另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質量，同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。

　　射頻磁控濺射相對于直流磁控濺射的主要優點是，它不要求作為電極的靶材是導電的。因此，理論上利用射頻磁控濺射可以濺射沉積任何材料，由于磁性材料對磁場的屏蔽作用，濺射沉積時它們會減弱或改變靶表面的磁場分布，影響濺射效率，磁性材料的靶材需要特別加工成薄片，盡量減少對磁場的影響。

　　電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出正離子和新的電子；新電子飛向基片，離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。

　　在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場，被束縛在靶表面特定區域，增強電離效率，增加離子密度和能量，從而實現高速率濺射，是制備低維度，小尺寸納米材料器件的實驗手段，廣泛應用于集成電路，光子晶體，低維半導體等領域。

　　磁控濺射鍍膜機是一款小型磁控濺射鍍膜儀，主要特點是設備體積小，結構簡單緊湊易于操作，對實驗室供電要求低，從而提高設備的穩定性；另外自主開發的智能操作系統在設備的運行重復性及安全性方面得到更好地保障。該設備標配2只2英寸永磁靶，一臺500W直流濺射電源（用于濺射金屬導電材料），1臺300W全自動匹配射頻濺射電源（用于濺射絕緣材料），主要用來開發納米級單層及多層的金屬導電膜、半導體膜以及絕緣膜等。

　　設備集成度高，結構緊湊，占地面積小，可以放置于實驗桌面上即可；通過更換設備上下法蘭可以實現磁控與蒸發功能的轉換，實現一機多用；可將主機置于手套箱內，水、電、氣等通過4個接口接到手套箱外，與手套箱的對接靈活方便。