深能級瞬態譜儀通過監測半導體結在不同溫度下的脈沖產生的電容、電流或電荷瞬變，可產生每個深度級別的光譜，每個深能級都有一個峰值。峰的高度與陷阱密度成正比，其符號允許區分少數和多數陷阱，并且溫度軸上的峰的位置導致確定熱發射和俘獲（活化能和橫截面）的基本參數，該方法的應用導致了新現象的發現，并為理解半導體器件的材料加工提供了*的工具。

　　儀器是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段，測試根據半導體P-N結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態電容技術和深能級瞬態譜的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。

　　通過對樣品的溫度掃描，給出表征半導體禁帶范圍內的雜質，集成多種全自動的測量模式及全面的數據分析，深能級瞬態譜儀可以確定雜質的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領域中，分析轉化效率衰減的關鍵性雜質元素和雜質元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。

　　凈室和模塊化的系統設計結構使得本系統可以高效率，準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布，選用合適的電解液與材料接觸，腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布，電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。