磁控濺射鍍膜儀主要用于在真空條件下，利用濺射原理在基體表面沉積薄膜，以制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學(xué)反應(yīng)膜等。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于電子、光電、光學(xué)、醫(yī)療等行業(yè)，用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜，可鍍制磁性材料和非磁性材料。
 

　　磁控濺射鍍膜儀的工作原理基于濺射現(xiàn)象。通常將欲沉積的材料制成板材靶，固定在陰極上，基片置于正對(duì)靶面的陽(yáng)極上，距靶一定距離。系統(tǒng)抽至高真空后充入一定壓強(qiáng)的氣體(通常為氬氣)，在陰極和陽(yáng)極間加幾千伏電壓，兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子，這些濺射原子在基片表面沉積成膜。
 

　　在磁控濺射過(guò)程中，電子在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用下，產(chǎn)生E×B漂移(電場(chǎng)與磁場(chǎng)交互作用產(chǎn)生的漂移)，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar正離子來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。