不過，脈沖激光沉積的發(fā)展與探究，處處受制。事實(shí)上，當(dāng)時的激光科技還未成熟，可以得到的激光種類有限；輸出的激光既不穩(wěn)定，重復(fù)頻率亦太低，使任何實(shí)際的膜生成過程均不能付諸實(shí)行。因此，PLD在薄膜制作的發(fā)展比其它技術(shù)落后。以分子束外延（MBE）為例，制造出來的薄膜質(zhì)素就優(yōu)良得多。

　　往后十年，由于激光科技的急速發(fā)展，提升了PLD的競爭能力。與早前的紅寶石激光器相比，當(dāng)時的激光有較高的重復(fù)頻率，使薄膜制作得以實(shí)現(xiàn)。隨后，可靠的電子Q開關(guān)激光（electronicQ-switcheslasers）面世，能夠產(chǎn)生極短的激光脈沖。因此，PLD能夠用來做到將靶一致蒸發(fā)，并沉積出化學(xué)計(jì)量薄膜。由于紫外線輻射，薄膜受吸收的深度較淺。之后發(fā)展出來的高效諧波激光器（harmonicgenerator）與激基分子激光器（excimer）甚至可產(chǎn)生出強(qiáng)烈的紫外線輻射。自此以后，以非熱能激光熔化靶物質(zhì)變得極為有效。

　　脈沖激光沉積主要優(yōu)點(diǎn)：

　　1.易獲得期望化學(xué)計(jì)量比的多組分薄膜，即具有良好的保成分性。

　　2.沉積速率高，試驗(yàn)周期短，襯底溫度要求低，制備的薄膜均勻。

　　3.工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié)，對靶材的種類沒有限制。

　　4.發(fā)展?jié)摿薮螅哂袠O大的兼容性。

　　5.便于清潔處理，可以制備多種薄膜材料。