表面光電壓譜可以用來研究光生電荷分高的動力學信息，包括光生電荷分寓過程中的漂移和擴散過程：漂移過程一般指發生在顆粒內的快速分高過程; 而主廣散過程一般為長時l司范圍內顆粒間的電荷傳輸。

　　另外，通過分析瞬態光電壓譜的形狀、時l司尺度、符號、強度等方面可以得到光生電荷分離和復合的快慢、分離方向、分離模式、分離程度等一系列信息。瞬態表面光電壓技術是研究納秒時間尺度上光生電荷行為的一種有效手段，具有非接觸，無損等優點，它能夠直接反映出光生電荷的分高方向，分高效率，電荷壽命等動力學信息。

　　表面光電壓譜測量中一個關鍵的測量不確定因素是光源的穩定性，提高了測量的準確度，測量系統主要有氙燈光源、自動掃描單色儀、光纖束、鎖相放大器、光學斬波器、暗室和數據采集軟件等部分組成。

　　研究光生載流子反應動力學，半導體受激光激發后產生載流子，在其衰減過程中可發生一系列的變化和反應，首先應需確定載流子的檢測波長，光生電子和空穴的特征吸收波長可調控電極一種載流子濃度而測量另一種載流子的瞬態光吸收與波長的關系，采用白光偏置光路激發材料；大功率*脈沖激光器；采用電磁屏蔽，無任何外界干擾；測試光路，水平與垂直可任意在線切換，實現固體樣品和液體樣品均可測試分析。

　　表面光電壓譜主要有電學和譜學兩類。電學方法主要是光電化學，測量方式又分時間域和頻率域；時間域方法主要有瞬態光電壓和瞬態光電流，頻率域方法主要有電化學阻抗譜和光強度調制光電壓譜和光強度調制光電流譜等，是研究半導體光生載流子動力學過程和反應歷程的強有力手段之一，它可以獲得半導體體內光生載流子產生、俘獲、復合、分離過程的重要微觀信息。